Nuevo fototransistor de grafeno y puntos cuánticos

Desde que en el 2010 se otorgara el Premio Nobel
de Física a Andre Geim y Konstantin Novoselov por sus experimentos con
el grafeno, los científicos e ingenieros no han dejado de investigar
este material de propiedades extraordinarias para aplicarlo en la
industria de la electrónica.
Ahora investigadores del ICFO en
Barcelona han creado un dispositivo fototransistor basado en grafeno y
puntos cuánticos (tampón de fosfato salino) que, según sus promotores,
podría cambiar el mundo de la optoelectrónica. El estudio se ha
publicado en la revista Nature Nanotechnology y ha sido citado en medios como The Economist.
La
innovadora tecnología “made in Spain” supone un avance hacia una nueva
generación de dispositivos para telecomunicaciones y electrónica,
según los autores.
Hasta ahora los
fotodetectores de silicio que han hecho posible las actuales tecnologías
TIC, desde cámaras, monitores, tabletas, móviles y demás productos de
electrónico de consumo, presentan limitaciones para aplicaciones que
requieren la detección de luz.
Sin embargo, el
tándem descubierto por el ICFO entre un material casi‐perfecto conductor
de la electricidad como es el grafeno, junto con nanocristales
ultra‐sensibles a la luz, puede convertirse en el nuevo material ideal
para los fotodetectores.
Estos dispositivos
podrían ser flexibles, ligeros y eficientes, abriendo la puerta a una
nueva generación de electrónica de consumo. Además harían posible nuevas
aplicaciones en sectores como la automoción, las múltiples aplicaciones
de los sistemas de visión nocturna y en técnicas de imágenes
biomédicas.
Fuente: http://www.agenciasinc.es
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